Memory DDR5 vs DDR4 vs DDR3 apa yang berbeda

Memory DDR5 September 2022
Memory DDR5 pertama untuk Ryzen 7000.
AMD Ryzen 7000 dapat bekerja di memory DDR5 5600 sampai DDR5 6400 (Overclock)
Untuk performa dan harga pilihan ada di DDR5 6000. Memiliki titik terbaik dengan kecepatan DDR5 6000 dengan FCLK dari procesor tepat 1:1.
Fitur tweak di Ryzen 7000 dapat mengunakan tipe memory EXPO.

Harga memory DDR5 awalnya mencapai 5x lipat dibanding DDR4 dengan kapasitas yang sama
Tapi pertengahan tahun 2022, harga DDR5 tiba tiba turun drastis
Pasar PC melambat pabrikan menurunkan harga memory DDR, dan merek memory menawarkan memory DDR5 lebih murah.

Corsair DDR5 5200 32GB, Maret $340, Juni $290, Sep $199
Kingston Fury Beast DDR5 5200 32GB, Maret $300, Juni $200
Gskill DDR5 6000 32GB Maret $420, Juni $390, Sep $269

Memory DDR5 Desember 2021
Produsen memory telah menyiapkan memory DDR5 premium.

Walau masih terbatas untuk board Z690 dengan procesor Intel Alder Lake socket 1700.

AMD rilis perubahan socket AM4 ke AM5 dan PCIe 5.0 akhir tahun 2022

DDR5 4800 di tahun 2022, sekitar separuh memory DDR5 akan mengunakan kecepatan generasi pertama.
Notebook terdapat model dengan LPDDR5 dan DDR5. AMD menyiapkan procesor Rebrandt yang mendukung DDR5.
Tetapi harga DDR5 jauh lebih mahal dibanding DDR4

Asus menampilkan prototipe adapter ROG DDR5 to DDR4. Setelah harga memory DDR5 naik jauh diatas harga DDR4.

Menjadi solusi sementara menunggu harga DDR5 turun dengan adaptor memory DDR4 untuk dipasangkan ke slot memory modul DDR5.

Perbedaan DDR5 dengan generasi sebelumnya, unit voltase regulator.
Sampai generasi DDR4, pengaturan voltase untuk power memory berada di luar unit memory modul. Penguna dapat menaikan dan menurunkan voltase dari sistem board computer. Seperti memory untuk overclock, voltase dapat ditingkatkan via BIOS.

DDR5 mengunakan internal voltase regulator atau pengatur tegangan On-board modul. Power dari luar tidak dapat mengatur voltase memory.

Disebut PMIC - Power Management Integrated Circuit.
Modul ditempatkan di memory modul, mengatur power kebutuhan komponen, DRAM registrr atau SPD.
Artinya distribusi power lebih baik dari DDR4.

Perbedaan voltase generasi memory DDR
Power memory modul di setiap generasi DDR berbeda.
DDR pertama 2,5V
DDR2 1,8V
DDR3 1,5V
DDR3L 1.35V  versi Low Voltage
DDR4 1.2V maksimum modul 32GB
DDR5 1.1V maksimum modul 128GB

Bila computer, notebook mengunakan DDR3 dan ingin di ganti, di tambah.
Ada 2 generasi memory DDR3, dari DDR3 standar dan DDR3L (Low Voltage). Pastikan tipe memory yang digunakan , model DDR3 standar atau DDR3 LV. DDR3 sempat mengalami transisi untuk pemakaian voltase dari voltase standar generasi pertama, ke Low voltase untuk generasi kedua

Antara tipe memory DDR, memiliki pin slot berbeda. Kecuali seri DDR3 dan DDR3L

LPDDR5x dan LPDDR5

Memory LPDDR5x menempatkan spesifikasi 8.533MT/s, sedangkan LPDDR5 dengan 6.400MT/s
LPDDDR5x ditetapkan perpanjangan LPDDR5, dapat digunakan bidang otomotif, computasi, Machine Learning dan IoT.
Fitur baru dengan manajemen adative refresh baru

Peningkatan sinyal TX / RX

Dari spesifikasi pabrikan, DDR5 dimulai dari kapasitas 8GB per modul, atau 16GB satu set / pasang.

Samsung DRAM DDR5 7200 modul memory 8 stack perchip (Aug 2021)
Samsung DDR5 dengan 8 lapis chip, perbandingan DDR4 hanya 4 lapis.
Jarak antara chip sekitar 1mm dengan 8 chip DDR5, sedangkan DDR4 dirancang direkatkan 1,2mm untuk 4 chip

Kapasitas mencapai 512GB DDR5, teorinya dapat dipasang ke sebuah computer dengan RAM total 4TB.
Tetapi tidak banyak procesor yang membutuhkan RAM sebesar itu, rata rata PC biasa hanya memasang maksimum RAM sekitar 32GB sampai 64TB.

Memory membutuhkan power 1.1V lebih hemat, tentu disain RAM terbesar nantinya untuk kelas server.
Produksi chip RAM DDR5 512GB, dari teknologi HKMG atau High-k Metal Gate.
Kecepatan 7.200MBps, sistem RAM ditumpuk 8 layer dari 16Gb chip DRAM. Kemampuan memory untuk menangani high bandwidth, seperti supercomputing, AI, Machine Learning dan analisa data.

Tidak perlu heatsink pendingin di Memory DDR5
DDR5 tidak memerlukan heatsink.
Alasannya, voltase memory DDR5 hanya 1.1V DC sebagai sumber power
Memory DDR5 dengan kecepatan tinggi tidak terlalu panas, walau model memory DDR5 kelas premium nanti bisa saja tidak dipasang heatsink.

Intel XMP vs AMD EXPO / RAMP
Kedua procesor mengunakan fitur tersendiri, sebagai internal profil berbeda.

Dapat memanfaatkan profile memory, meningkatkan kinerja memory berdasarkan setting internal di memory DDR.
DDR5 standar rata rata mencapai kecepatan 4.800Mhz, procesor AMD dan Intel terbaru dapat mengunakan speed DDR5 5200Mhz native.

Kecepatan memory tanpa profile (XMP, EXPO, RAMP) akan bekerja default / kecepatan standar sesuai JEDEC
Tapi BIOS di motherboard dapat mengakses informasi untuk masing masing profile. Bila memory XMP terditeksi, maka BIOS mengambil data dan memasukan setting clock speed, timing, voltase dan lainnya sesuai data memory. Kinerja RAM tidak perlu di setting, bila BIOS telah aktif membaca profile.

Bila board AMD dipasangkan dengan RAM DDR5 yang memiliki profile EXPO. Kinerja RAM akan bekerja lebih tinggi sesuai spesifikasi memory.

Kinerja RAM tetap stabil walau bekerja lebih tinggi, karena spesifikasi yang tercatat di internal memory XMP, EXPO dan RAMP.

Intel mengunakan XMP sampai DDR5

	XMP 1.0	XMP 2.0	XMP 3.0
DDR Version	DDR3	DDR4	DDR5
Vendor profiles (static)	2	2	3
Rewritable profiles	None	None	2
Descriptive profile names	No	No	Yes
CRC Checksum	No	No	Yes
On Module voltage control	No	No	Yes
Total bytes allocated to XMP	78	102	384

AMD mengunakan EXPO DDR5
Untuk mencapai kecepatan 6000Mhz DDR5 dengan AMD, diperlukan setting EXPO profile yang ditanam di dalam RAM module.
Kinerja dapat meningkat sampai 11% kata AMD.

Melihat fisik memory DDR5 tidak berbeda. Tapi di dalam chip dapat disimpan data profil untuk setiap kecepatan non standar.
Data tersebut dapat di baca oleh BIOS ketika computer start, dan memindahkan setting sesuai data Profile yang tersedia.

Apakah memory DDR5 standar kecepatan tinggi dapat setingkat XMP / EXPO.
Yah, dengan catatan BIOS motherboard mendukung untuk membuka setting ke memory overclock
Tetapi tidak menjamin kestabilan, bila user melakukan salah setting.
Misal memiliki memory profile EXPO untuk AMD, digunakan untuk board Intel Gen12 keatas
Motherboard dapat memberi akses untuk merubah kecepatan, tentu saja memory DDR5 untuk AMD bekerja di Intel dengan kecepatan lebih tinggi.

DDR5 desktop notebook

Spesifikasi DDR5
Jedec asosiasi memory mengumumkan standar JESD79-5 untuk kecepatan DDR5.
DDR4 resmi berhenti di 3200Mhz dengan kecepatan tranfer 16.8GB/s
DDR5 resmi dimulai dengan kecepatan 3200-6400Mhz, kecepatan tranfer 37.2GB/s
Aplikasi untuk desktop dan server mulai 2021, tetapi pemakaian umum baru tahun 2022.
VDIMM 1.1Volt, dengan internal voltase regulator, sedangkan DDR4 sebelumnya mengunakan power dari voltase motherboard.
Kapasitas per modul DDR5 mencapai 128GB maksimum dibanding DDR4 32GB
Chip 64Gbit dengan kapasitas 2TB permodul dengan 64bit, dibanding DDR4 sampai 32bit.
Perbaikan signal untuk tranfer kecepatan tinggi - Decision Feedback Equalization (DFE)
288 pin dengan power terpisah

Update Oktober 2020

Hynix mengatakan DDR5 dengan kapasitas besar, dapat dimanfaatkan untuk kecepatan AI, Big Data, Machine Learning dan lainnya.
Model pertama DDR5 memiliki spesifikasi
Kecepatan tranfer memory 4,8 - 5,6GBps untuk model awal dan sudah 1,8x lebih cepat dari standar DDR4.
Mengikuti standar JEDEC akan mencapai 6.4Gbps atau 8,4Gbps.
Voltase 1.1V
Menurunkan pemakaian power DRAM lebih hemat, lebih hemat 20% pemakaian power dibanding DDR4.
Kapasitas sampai 256GB modul DRAM dengan proses produksi Silicon TSV..
Modul chip bank DDR5, 2x lebih banyak dibanding DDR4 dengan ukuran yang sama



 
Jadwal pengembangan produk DDR Samsung
2021     4th-gen 10nm-class (1a) EUV-based 16Gb DDR5/LPDDR5 mass production
March 2020     4th-gen 10nm-class (1a) EUV-based DRAM development
September 2019     3rd-gen 10nm-class (1z) 8Gb DDR4 mass production
June 2019     2nd-gen 10nm-class (1y) 12Gb LPDDR5 mass production
March 2019     3rd-gen 10nm-class (1z) 8Gb DDR4 development
November 2017     2nd-gen 10nm-class (1y) 8Gb DDR4 mass production
September 2016     1st-gen 10nm-class (1x) 16Gb LPDDR4/4X mass production
February 2016     1st-gen 10nm-class (1x) 8Gb DDR4 mass production
October 2015     20nm (2z) 12Gb LPDDR4 mass production
December 2014     20nm (2z) 8Gb GDDR5 mass production
December 2014     20nm (2z) 8Gb LPDDR4 mass production

October 2014     20nm (2z) 8Gb DDR4 mass production
February 2014     20nm (2z) 4Gb DDR3 mass production
February 2014     20nm-class (2y) 8Gb LPDDR4 mass production
November 2013     20nm-class (2y) 6Gb LPDDR3 mass production
November 2012     20nm-class (2y) 4Gb DDR3 mass production
September 2011     20nm-class (2x) 2Gb DDR3 mass production
July 2010     30nm-class 2Gb DDR3 mass production
February 2010     40nm-class 4Gb DDR3 mass production
July 2009     40nm-class 2Gb DDR3 mass production

DDR4

September 2019
Samsung A-die DDR4 tampil. Kenapa tipe memory tersebut menarik media.
Samsung tiam diam mengumumkan teknologi proses pembuatan chip 20nm akan pensiun. Dikenal dengan B-die
Memory DDR4 Samsung akan dibuat dengan teknologi terbaru kerapatan tinggi 10nm atau A-Die.

Samsung A-Die memiliki kerapatan tinggi, harga lebih baik. B-Die sangat baik di pasar overclock dan antusia PC.

Samsung M378A4G43AB2-CVF A-Die kabarnya sudah muncul di pasaran. Tapi kapasitasnya tidak tanggung tanggung mencapai 32GB, walau kecepatannya masih lambat dengan DDR4-2933, CL21-21-21 voltase 1,2V. Karena bukan untuk performa memory

Update November 2014
Teknologi memory DDR dimulai dari DDR SDRAM.

• Tahun 2000, dimulai DDR SDRAM pertama
• Tahun 2003, kembali tampil memory DDR2 SDRAM
• Tahun 2007, kembali digantikan dengan DDR3 SDRAM. Cukup lama DDR3 bertahan, antara 3 - 4 tahun. DDR3 memulai debutnya sejak 2007
  
• Tahun 2014, sampai tahun 2014 dimulai DDR4, dan teknologi DDR4 stabil digunakan tahun 2016. Dengan munculnya procesor Ryzen dan Intel terbaru.
• Tahun 2018 DDR4 telah mencapai DDR4-4400
• Tahun 2021 DDR5 dimulai dari DDR4-3200, atau transisi lebih cepat ke DDR5-4800
  

Perbedaan pertama untuk DDR4 terlihat sama seperti DDR3, tapi sedikit lebih tinggi 0,9mm. Tentu disain chip hanya dibedakan dari PCB produsen.

Perbedaan kedua DDR 3 dan DDR4 dalam bentuk fisik paling membedakan, letak pin dibagian bawah PCB memory modul.

Membuat setiap generasi memory DDR tidak dapat dipasang pada slot memory berbeda tipe.
Perbedaan ketiga voltase di tiap generasi DDR dibuat lebih rendah dan kecepatan memory lebih tinggi untuk DDR4.

DDR4 mengunakan 288 pin sedangkan DDR3 240 pin.
DDR3 memiliki pin sedikit ke kiri (bila menghadap ke arah memory modul.
DDR5 kembali ke pin di tengah.

Letak lubang pin pada slot memory pin DDR4 hampir berada ke tengah.
Letak lubang pin DDR5 kembali bergeser, tepat di tengah


Kecepatan DDR4
DDR4 dimulai dari 2133Mhz. Kecepatan tersebut adalah batas tertinggi dari DDR3 standar yang terakhir dibuat. Walau beberapa produsen menawarkan DDR3 lebih cepat.

DDR4 diteruskan sampai 3200Mhz. Chip DDR4 memiliki kerapatan lebih besar, mencapai 16Gb atau 2Gb perchip.

Kapasitas RAM mencapai 2 kali lebih banyak dibanding kapasitas RAM DDR3. Kecepatan DDR4 premium di tahun 2017 lalu, telah mencapai 4000Mhz +

Kedepan, DDR4 RAM dapat dimulai dari memory 16GB permodule, dan terbesar dapat mencapai 64GB untuk kelas server computer atau kelas performa PC.
Samsung sebagai produsen chip DDR4, membuat memory chip dengan kerapatan tinggi dengan pemakaian power lebih rendah.

Kingston meluncurkan DDR4 4800Mhz, satu modul mulai dari 8GB, terbesar 32GB permodul DDR4. Tinggal dilihat kemampuan chipset motherboard dan jumlah slot yang tersedia. Dngan 4 kit modul dapat mencapai 128GB RAM

Setiap teknologi memiliki kekurangan.
Ketika DIMM DRAM dibuat, belum dikenal dengan dual channel atau quad channel. DRAM modul hanya mengenal 1 slot DIMM untuk satu memory modul. Banyak penguna performa PC mencari memory dengan kecepatan latency rendah / memory timing. Artinya memory DRAM memiliki respon lebih cepat, seperti angka CL2.

Memory timing berbeda antara DDR4 dan DDR3, karena DDR4 dimulai pada kecepatan tinggi maka timingnya akan semakin besar.

Tetapi memory timing tidak mempengarhi kecepatan computer, karena latency atau kelambatan memory DDR4 dan DDR3

Apakah latency seperti CL10-11-12 membuat kecepatan memory lebih lambat. Memory DDR tidak lagi dilihat nilai Cas Latency.  Nilai yang menentukan adalah Nano Second yang dihasilkan dari kecepatan memory. Semakin kecil maka memory modul semakin cepat. Nilai NS dapat dihitung dengan rumus ( CL / Frequency ) x 1000 atau seperti contoh ini - 2133MHz CL15 untuk DDR4 memory, ( 15 / 2133 ) * 1000 = 7.03ns

Atau mengambil perhitungan dari true latency (ns) = clock cycle time (ns) x number of clock cycles (cl)

Hasil kecepatan tersebut menghasilkan kecepatan tranfer bandwidth lebih tinggi dengan perbandingan semakin tingginya Clock Speed memory.

Dibawah ini penjelasan bahwa memory timing DDR dengan kecepatan memory.

DDR3 2133Mhz sudah mencapai CL 10 atau CL 11. Sedangkan DDR4 2133Mhz yang ada saat ini langsung naik dan mencapai CL 15

Dengan test procesor Core i7 5960X dan 4960X, hasil test Geekbench dari DDR3 dan DDR4 hanya berbeda sedikit saja.

Di kelas memory standar, DDR4 2133Mhz memiliki score 5691 dan DDR3 1600Mhz dengan score 5382

DDR4 dapat bekerja dengan voltase 1,35V, untuk DDR3 Low Power bekerja di 1,5V, sedangkan DDR3 performa bekerja pada voltase 1.65 Volt atau lebih tinggi

Tetapi dalam perkembangannya, DDR4 akan bekerja lebih hemat power bahkan sampai 1,2V dan 1.05V. Memory computer baik PC dan notebook akan lebih hemat power.

Beberapa produsen yangmenawarkan memory kecepatan tinggi seperti DDR4-4000+ untuk performa computer

• Gskill Trident Z tampil dengan DDR4-3600 16GB / 2x8GB dengan kecepatan latency CL 16-16-16-36 untuk AMD Ryzen
• GSkill DDR4-4400 16GB / 2x8GB dengan CL 19-19-19-39 untuk procesor Intel X
• Gskill DDR4-4200 64GB / 8x8GB dengan CL 19-21-21-41 untuk chipset Intel X299.
• Corsair DDR4-4266 16GB / 2x8GB dengan 19-26-26-46 untuk chipset Intel 200
  
• Kecepatan DDR4 untuk Desktop mencapai 4600Mhz dan Notebook 4000Mhz pada tahun 2017

Sebelumnya produsen memory Nanya harus bertahan setelah harga memory jatuh. Bahkan mencapai 28%. Samsung telah menginvestasikan bagi industri segmen DRAM, lebih dari 50% tahun lalu dengan nilai 2 miliar dollar. Membuat harga memory lebih stabil, khususnya DDR4.

Chipset DDR4
Setiap generasi procesor dan DDR memiliki evolusi baru, seluruhnya harus mendukung. DDR4 membutuhkan chip procesor terbaru termasuk slot DDR4 berbeda dari DDR3. Dan DDR3 juga berbeda dengan slot DDR2.

AMD menyiapkan pendukung DDR4. Dari Ryzen core arsitek dan chipset X399 untuk AMD Treadripper.

Teknologi proceor dan computer tahun 2017, telah mengunakan DDR4

Chip mendukung DDR 3 dan DDR4.

Platform	Nama procesor	Arsitek	Memory Configuration
		Broadwell-E	DDR4 UDIMM non-ECC tested at 2400 MT/s—1.2 V
Desktop	7th Gen Intel® Core™, Intel® Pentium®, Intel® Celeron® processor	Kaby Lake	DDR4 UDIMM non-ECC tested at 2400MT/s-1.2V l
	6th Gen Intel® Core™, Intel® Pentium®, Intel® Celeron® processors	Skylake	DDR4 UDIMM non-ECC tested at 2133MT/s—1.2V
	4th Gen Intel® Core™, Intel® Pentium®, Intel® Celeron® processors	Haswell	DDR3 UDIMM non-ECC tested at 1600 MT/s—1.5 V
Mobile	7th Gen Intel®Core™, Intel® Pentium®, Intel® Celeron® processors	Kaby Lake	DDR4 memory down tested at 2400MT/s-1.2V
			DDR4 SoDIMM non-ECC tested at 2400MT/s-1.2V
			LPDDR3 memory down tested at 1866 MT/s
	Intel Atom® processor	Apollo Lake	LPDDR4 memory down tested at 2400MT/s - 1.1V
	6th Gen Intel® Core™, Intel® Pentium®, Intel® Celeron® processors	Skylake	DDR4 SoDIMM non-ECC tested at 2133MT/s - 1.2V
			DDR4 memory down tested at 2133 MT/s - 1.2V
	5th Gen Intel® Core™, Intel® Pentium®, Intel® Celeron® processors	Broadwell	DDR3L SoDIMM tested at 1866 MT/s-1.35V
			LPDDR3 memory down tested at 1866/1600 MT/s—1.20 V
			DDR3L/RS memory down tested at 1600 MT/s-1.35V
			DDR3L SODIMM tested at 1600 MT/s—1.35 V
	4th Gen Intel® Core™, Intel® Pentium®, Intel® Celeron® processors	Haswell	DDR3L SODIMM tested at 1600 MT/s—1.35 V

Modul DC DIMM DDR4 ukuran 2x lebih besar tahun 2018.
DC-DIMM dasarnya dari singkatan Double Capacity DIMM
2 merek memory G.Skill dan Zadak tampilkan memory DDR4. Tapi dengan kapasitas 2x lebih besar, dan ukurannya juga 2x lebih besar.
Memory chip yang dipakai buatan Samsung. Dirancang dengan 2 baris chip, sedangkan memory DDR4 standar hanya mengunakan 1 baris chip.

32GB mungkin saja dibuat untuk memory notebook ukuran 32GB DDR44 SODIMM. Walau tidak jelas apakah disain chip harus disesuaikan, karena letak memory notebook lebih sempit.

Merek Zadak model Zadak Shield DC Aura2 RGB DDR4-3200 desktop PC menawarkan kapasitas 32GB.

Gambar kiri disain memory double capacity, dan kanan model memory ukuran standar.

Perubahan generasi memory DDR dengan kecepatan dan tranfer speed.

DDR SDRAM (DDR1)

	Clock	I / O cycle *	Efektif clock	Memory bandwidth
DDR-200 PC-1600	100 MHz	100 MHz	200 MHz	1.6 GB / s 200 MT / s
DDR-266 PC-2100	133 MHz	133 MHz	266 MHz	2.1 GB / s 266 MT / s
DDR-333 PC-2700	166 MHz	166 MHz	333 MHz	2.7 GB / s 333 MT / s
DDR-400 PC-3200	200 MHz	200 MHz	400 MHz	3.2 GB / s 400 MT / s

DDR2 SDRAM

	Clock	I / O cycle *	Efektif clock	Memory bandwidth
DDR2-400 PC-3200	100 MHz	200 MHz	400 MHz	3.2 GB / s 400 MT / s
DDR2-533 PC-4200	133 MHz	266 MHz	533 MHz	4.2 GB / s 533 MT / s
DDR2-667 PC-5300	166 MHz	333 MHz	667 MHz	5.3 GB / s 667 MT / s
DDR2-800 PC-6400	200 MHz	400 MHz	800 MHz	6.4 GB / s 800 MT / s
DDR2-1066 PC-8500	266 MHz	533 MHz	1,066 MHz	8.5 GB / s 1,066 MT / s

DDR3 SDRAM

	Clock	I / O cycle *	Efektif clock	Memory bandwidth
DDR3-800 PC-6400	100 MHz	400 MHz	800 MHz	6.4 GB / s 800 MT / s
DDR3-1066 PC-8500	133 MHz	533 MHz	1,066 MHz	8.4 GB / s 1,066 MT / s
DDR3-1333 PC-10600	166 MHz	667 MHz	1,333 MHz	10.6 GB / s 1,333 MT / s
DDR3-1600 PC-12800	200 MHz	800 MHz	1,600 MHz	12.8 GB / s 1,600 MT / s
DDR3-2133 PC-17000	266 MHz	1,066 MHz	2.133 MHz	17.0 GB / s 2,133 MT / s

DDR4 SDRAM

	Clock	I / O cycle *	Efektif clock	Memory bandwidth
DDR4-1600 PC-12800	200 MHz	800 MHz	1,600 MHz	12.8 GB / s 1,600 MT / s
DDR4-1866 PC-14900	233 MHz	933 MHz	1,866 MHz	14.9 GB / s 1,866 MT / s
DDR4-2133 PC-17000	266 MHz	1,067 MHz	2.133 MHz	17.0 GB / s 2,133 MT / s
DDR4-2400 PC-19200	300 MHz	1,200 MHz	2,400 MHz	19.2 GB / s 2,400 MT / s
DDR4-2666 PC-21300	333 MHz	1,333 MHz	2,666 MHz	21.3 GB / s 2,666 MT / s
DDR4-3200 PC-25600	400 MHz	1,600 MHz	3,200 MHz	25.6 GB / s 3,200 MT / s
DDR4-3600 PC-28800	450 MHz	1,800 MHz	3,600 MHz	28.8 GB / s 3,600 MT / s
DDR4-4800 PC-38400	600 MHz	2,400 MHz	4,800 MHz	38.4 GB / s 4,800 MT / s

DDR5 SDRAM

	Clock	I / O cycle *	Efektif clock	Memory bandwidth
DDR5-3200 PC-25600	200 MHz	1,600 MHz	3,200 MHz	25.6 GB / s 3,200 MT / s
DDR5-3600 PC-28800	225 MHz	1,800 MHz	3,600 MHz	28.8 GB / s 3,600 MT / s
DDR5-4800 PC-38400	300 MHz	2,400 MHz	4,800 MHz	38.4 GB / s 4,800 MT / s
DDR5-5600 PC-44800	350 MHz	2,800 MHz	5,600 MHz	44.8 GB / s 5,600 MT / s
DDR5-6400 PC-51200	400 MHz	3,200 MHz	6,400 MHz	51.2 GB / s 6,400 MT / s
DDR5-7200 PC-57600	450 MHz	3,600 MHz	7,200 MHz	57.6 GB / s 7,200 MT / s
DDR5-8400 PC-67200	600 MHz	4,800 MHz	8,400 MHz	67.2 GB / s 8,400 MT / s

Apa perbedaan slot RAM NitroPath baru. Desain lebih pendek, pin modul RAM di lekuk ke bagian dalam. Tujuan, menghilangkan efek kebisingan pada pin modul RAM terbuka yang dapat menganggu kinerja RAM yang sudah terisi

Sekilas dari AMD Ryzen 8000, rilis tahun 2024. Ada perbedaan dari arsitek Phonenix 1 (versi high end) dan Phoenix 2 (versi budget). Ada yang menarik dengan Ryzen 8000 mengunakan Zen4c. Salah satunya socket AM5 dipertahankan, dan APU memiliki CU lebih banyak

Kingston FURY Renegade dan Kingston FURY Renegade RGB (dengan lampu LED), dengan single modul 16GB atau 32GB kit dengan 2 modul. Untuk LED RGB, dapat di set untuk 16 setting.

Samsung sudah menentukan jadwal penghentian produksi DDR3, sedangkan Hynix tidak lagi memproduksi dalam jumlah besar. Micron masih bertahan tapi bukan dalam jumlah besar. Bila DDR3 dihentikan apakah sudah tidak ada perangkat yang mengunakan. DDR3 masih digunakan untuk perangkat elektronik non computer.

GSkill persiapkan memory DDR5 dengan kecepatan 6600 CL36. Walau belum tersedia computer dengan memory DDR5, setidaknya menunggu Intel merilis CPU Alder Lake tahun ini. Beberapa produsen mulai menguji dan siap memasarkan DDR5 kecepatan tinggi.

G.Skill Trident Z DDR4 memiliki kecepatan 3600Mhz.  Dengan kapasitas RAM 64GB dari 4 modul terpasang. Memiliki spesifikasi 3600MHz CL17-19-19-39 1.35V, chip buatan Samsung 8GB.

Corsair Dominator adalah seri memory performa untuk PC. Kali ini tampil dengan Corsair Dominator Platinum Special Edition DDR4. Diproduksi hanya 500 unit dari setiap model. Dengan 4 x 8GB memory modul atau 2 x 16GB memory modul. Kedua model memiliki kecepatan 3200Mhz

Corsair Vengeance memory DDR4 tampil dalam 3 varian. Dari 128GB, 64GB dan 32GB. Tidak ada yang kecil dan hanya tersedia 32GB saja. Corsair Vengeance LPX untuk model 128GB dipasang dengan kombinasi 8 modul x 16GB. Dan kecepatan dari 3.000Mhz keatas.

Butuh kemampuan computer kekuatan besar, satu lagi komponen computer dari G.Skill menawarkan kit DDR4 128GB. Memiliki kecepatan 3000Mhz dengan latency CL 14 14 14 34. Terdiri dari 16GB setiap modul dikalikan 8 unit modul yang terpasang di memory computer.

Corsair sudah menyiapkan memory generasi baru DDR4. Memory tersebut langsung masuk di kecepatan 2800Mhz dan 2666Mhz. Sementara hanya tersedia 16GB dengan dual kit memory modul.

RAM computer memiliki setting XMP. Apakah anda sudah mengaktifkan, apakah mendapatkan speed memory yang sesuai. Bila semua sudah di setting dengan benar, apakah computer lebih cepat. Awasi panas procesor anda, karena produsen motherboard diam diam meningkatkan kinerja procesor untuk bekerja penuh