Teknologi DDR5 1c generasi ke 6

Produsen chip DRAM SK Hynix memasuki teknologi chip DRAM generasi ke 6.

Disebut DDR5 1c dengan proses pembuatan 10nm.
Chip dirancang dengan kapasitas 2GB (16Gbit), dan siap di produksi masal tahun 2025.

Proses produksi DRAM 1c lebih murah, lebih cepat dan ekonomis.
Ada perubahan dari bahan pembuat silikon, dan mengoptimalkan proses dengan Extreme UV.

Produksinya lebih bersaing kata Hynix. Karena hasil silikon lebih tinggi, atau chip yang dapat dibuat sampai 30% lebih banyak dengan desain baru.
Pemakaian power 9% lebih efisien
Dapat menghemat pengunaan power di data center sampai 30%.

Mengingat memory adalah bagian dari pengembangan data center Ai yang membutuhkan kapasitas RAM sangat besar.

DDR5 1c , mengapa ada huruf c.

Produsen membuat chip dipabrik mereka berdasarkan generasi dan teknologi
Generasi pertama RAM mengunakan x, y, z
Seperti gambar ada keterangan di setiap generasi mesin ASML sebagai mesin pembuat keping silikon.

Sampai tahun 2024, produsen mengunakan nama a, b, c. Disini peralihan mengunakan mesin pencetak chip EUV
Nama DRAM c adalah generasi ke 6, dan sebelumnya b generasi ke 5.

Apakah teknologi pembuat DDR akan memasuki generasi d, kita lihat nanti.
Tapi kedepan chip DRAM akan dikecilkan dari teknologi saat ini dengan proses 10nm.

Mungkin menganti nama dengan 0a, 0b, 0c
Mengingat mesin pembuat chip tercanggih saat ini adalah ASML.

DRAM 3D
Apakah RAM akan memasuki era chip sistem tumpuk seperti teknologi NAND.
Mungkin, tapi nanti. Perkiraan baru dapat diproduksi tahun 2030.

Mirip transisi chip NAND 2D ke 3D, cukup membutuhkan waktu, sekaligus membuat harga storage lebih cepat dan lebih terjangkau.

TSMC pertahankan 3nm chip karena sudah matang, sebelum tahun 2025 pindah ke 2nm. Masalah di teknologi 2nm, proses produksi lebih rumit dan mesin EUV litografi juga sangat mahal. Diperkirakan chip generasi baru akan mencapai 50% lebih mahal lagi.

Apa perbedaan headset, earphone, earbud atau headphone. Fungsinya sedikit berbeda, tapi disain utamanya untuk mendengarkan suara seperti musik atau pembicaraan telepon, dilengkapi tombol. Perbedaan lain adalah kualitas, yang disebut premium, termasuk Planar Headphone.

Silicon Motion membuat chip controller SM2322. Menangani storage SSD tipe TLC dan QLC di memory storage. Bentuk seperti Flash disk dan transfer sangat cepat, dengan kecepatan transfer 2GB/s. Diperlukan port USB 3.2 Gen 2x2.

Samsung QLC 290 layer jadi diproduksi target 16TB SSD. SK Hynix kembangkan NAND 321 layer, dengan 1 chip kapasitas 1TB. Generasi saat ini menampung 512GB. Kioxia dan WD BiCS 3D NAND Gen8 218 layer. SK Hynix Gen8 300 layer, lebih murah setingkat 2400MT/s.

Flash QLC 280 layer Samsung mendukung SSD M.2 16 TB. Chip Samsung QLC V9 memiliki kelebihan kapasitas chip 50% lebih banyak dibanding generasi QLC sebelumnya. Dirancang dengan 280 layer, sedangkan TLC saat ini mengunakan 232 layer.

WIFI 7 standar 802.11be Mediatek, Intel dan Broadcom, mencapai 5Gbit/s. Mediatek Filogic 380 360 Filogic 880 860 WIFI7. Qualcomm WIFI7 Pro BE3300 mencapai 33Gbps dengan MLO. WIFI 7 secara teori mencapai kecepatan 46Gbit perdetik untuk transfer. WIFI 6e mengunakan 6Ghz mungkin dilewati.

Pilih DDR5 karena murah dan lebih cepat. Samsung membawa teknologi DDR5 memory DDR5-8000 kapasitas 48GB permodul. Teknologi saat ini memberi disain chip tumpuk atau lapisan. 2023 RAM PC dapat terpasang sampai 192GB 4 modul RAM untuk DDR5, AMD pertama, motherboard Intel menyusul