Teknologi NAND chip Samsung QLC 290 SK Hynix 321 layer rencana 1000 layer


   Technology | 15 April 2024


Kioxia rencana 1000 layer NAND tahun 2027 nanti.
Dengan ukuran cbip per mm persegi, dapat mencapai kapasitas 100Gbit untuk sistem tumpuk 1000 lapis.
Setidaknya itu yang direncanakan produsen chip Kioxia pada tahun 2027.
Sementara Kioxia dengan generasi BiCS 8 dengan 218 layer, selanjutnya BiCS 9 dan 10 naik ke 400 layer.


Setiap tahun peningkatan kapasitas chip naik 1.33x.
Tahun 2014 dengan 25 layer, tahun 2022 238 layer. Tahun 2023 telah ditampilkan oleh SKHynix 321 layer dengan kapasitas 1TB TLC. 4D NAND.


Samsung 290 layer VNAND Gen9 April 2024
Tahun ini generasi NAND mencapai 290 layer, tapi tidak berhenti.
Tahun 2025 Samsung merancang 430 layer untuk Gen10.

Samsung 290 layer NAND Generasi ke 3 mulai diproduksi tahun 2024.

Mengunakan 2 lapis ganda, tapi tidak semua digunakan
Seperti publikasi Februari tipe chip tersebut hanya diumumkan dengan 280 layer.
Spesifikasi antara 290 dan 280 layer hanya istilah untuk publikasi yang menyebut 280 layer.

Kepadatan 280 layer 3D chip 1tb 4b/cel ukuran 28.5Gb/mm persegi.
Chip QLC tersebut dapat dibuat menjadi SSD M.2 sampai 16TB.
Tapi itu terlalu jauh, kemungkinan Samsung dapat membuat SSD dengan kapasitas 8TB sebelum 16TB.
Mengingat SSD NVMe saat ini terbesar dengan kapasitas 4TB.

Samsung V-Nand Gen9 TLC, dapat memperkecil chip sampai 50% kepadatan storage
Membawa teknologi baru, menghindari ganggian cell chip, memperpanjang usia chip lebih lama dan lebih handal.
Disebut Channel Hole Etching, menciptakan jalur elektron dengan menumpuk lapisan cetakan.
Samsung juga menempatkan interface Flash chip Nand Toggle 5.1 baru. meningkatkan kecepatan input output data sampai 33% sampai 3,2Gbps.
Target chip Nand ini untuk PCIe 5.0, dan chip mengunakan power 10% lebih rendah.

Perbandingan dari produsen YMTC QLC dengan 1Tb 20,62Gb/mm persegi mengunakan 232 layer.
Micron 19,6Gb/mm persegi 232 layer.
Kioxia 13,86Gb/mm persegi 162 layer.
Hynix QLC 512Gbit 14,4Gbit/mm persegi dengan 176 layer.

SK Hynix 321 layer Agustus 2023
Membuat sebuah chip dengan kapasitas 1TB mengunakan 321 layer.
Chip diperkirakan dapat diproduksi masal pertengahan 2025.

Kapasitas chip SK Hynix TLC NAND 321 layer dapat menambah kapasitas chip 59% lebih besar dibanding 238 layer sampai 512GB.
Artinya satu wafer silikon untuk memproduksi chip tersebut dapat meningkat.
Ke depan dukungan chip 321 layer dapat digunakan untuk storage PCIe 5 dan UFS 4.0

SK Hynix 321 layer NAND

SK Hynix produksi pertama 238 layer NAND 4D Juni 2023
Hynix mulai memproduksi masal chip NAND 4D dengan 238 tumpuk yang dikembangkan sejak 2022. Rencana teknologi 4D telah diumumkan sejak 2019.
Kurang dari 1 tahun dari rancangan, chip siap diproduksi dalam jumlah besar.

Chip dirancang dengan unit Peri dibawah sel NAND storage, dibanding NAND konvensional ditempatkan di sisi sel.

Menurut SK Hynix, chip baru 4D NAND dapat digunakan sebagai storage PC atau smartphone. Kecepatan 21% lebih eifisien dengan chip generasi baru.
SK Hynix fokus menguji kompatibel dengan smartphone, sebelum produk di uji ke perangkat lain.

Untuk teknologi PCIe 5, dugaraojab dapat digunakan sebagai chip SSD kelas server.
Nama 4D sebagai merek, karena chip dirancang seperti TLC dengan teknologi QLC, Hynix menumpuk logic input dan output chip

SK Hynix 238 layer 4D NAND


Kioxia 218 layer April 2023
Produsen chip Kioxia  dan WD telah menyebut chip BiCS 3D NAND Gen8 dengan 218 layer.
Kecepatan transfer 3200MT/s, langsung diperkenalkan dengan kapasitas chip 1TB (128GB).
Desain chip NAND Kioxia Gen8 juga mengunakan arsitek inovatif yang disebut  CBA (CMOS direct Bonded to Array).
Desian biasa di setiap cel berada di sebelah atau atas, seperti buffer, sampai I/O.
Arsitek CBA  dan Xtacking dibuat antara chip NAND dan I/O CMOS dengan wafer terpisah, dan dapat bekerja dengan 3D TLC dan 3D QLC
Sampai April 2023, produk sampel telah dikirim, tapi belum diberi jadwal produksi masal, mungkin siap untuk tahun 2024.

Xiokia 218 layer CBA CMOS Direct Banded to Array

Hynix 300 layer Mei 2023
Produsen chip Hynix memberi detil chip NAND Gen8 3D NAND memiliiki 330 layer.
Meningkatkan kapasitas SSD, harga lebih murah. Di jadwalkan tampil 2024 atau 2025.
Hynix menumpuk 300 lapis chip dan kapasitas dapat mencapai 1Tb bit (setara 128GB), kecepatan 2400MT/s, dengan 4 plane.
Kecepatana transfer internal sekitar 194MB/s sekitar 18% lebih cepat dibanding chip Gen7 dengan 238 layer.

SK-Hynix chip NAND 3D 300 layer


2022 Desember YTMC 232 Layer NAND chip
Produsen chip China YMTC mulai mengirim SSD Zhitai TiPlus7100
Mengunakan chip 232 layer NAND Xtacking 3, kemampuan transfer 2400MT/s.
Tipe chip kecepatan tinggi dirancang untuk PCIe 5.0 melalui jalur PCIe x4, untuk mencapai 12,4GB/s.

Tapi SSD 512GB, 1TB dan 2TB dibuat untuk PCIe 4.0, dengan kecepatan 7GB dan 6GB/s untuk read write.
Kecepatan tidak setinggi model pabrikan lain seperti Samsung, Micron. Memiliki IOPS 900K dan 700K dan setingkat PCie 4.0.
SSD juga tidak dilengkapi memory buffer DDR, kabar untuk pasar SSD murah.

Chip YTMC diberi nama produk Zhitai.
YTMC memberi garansi 5 tahun, walau pabrikan China harga disana tidak berbeda dengan produk Samsung dan Micron. Tidak dijelaskan bagaimana dengan produk yang di ekspor ke pasar internasional.
Pesaing dari chip Micron 2550 232 layer TLC. chip hanya di set untuk 1600MT/s, cukup untuk produk SSD mainstream.

YTMC 232 Layer PCIe 4

2022 November
Samsung generasi ke 8 chip V-NAND dapat digunakan untuk PCI 5.0
Kecepatan akan mencapai 12Gbps, dan chip telah di produksi masal.
Chip Samsung Gen8 memiliki speed 2400Mtps, cocok untuk kecepatan storage PCie 5.0.

Berita baiknya, chip menawarkan produksi lebih banyak sampai 20% dibanding IC Flash dengan kapasitas yang sama.

Membuat biaya produsek lebih rendah dengan hasil chip yang sama. Berpotensi harga SSD lebih terjangkau lagi.
Siapa yang akan mendapatkan produk pertama, kemungkinan untuk aplikasi Client untuk kecepatan transfer tertinggi.

TLC 3D NAND


Micron B58R Kioxia/WD BiCS6 Kioxia/WD BiCS5 Samsung V8 Samsung V7 Samsung V6 SK Hynix V7 SK Hynix V6
Type (bit/cell) TLC (3 bits)
capacity 1 Tbit 512 Gb 1Tb/512Gb 512 Gb
plans 6 4
Layers (WL) 232 (2×116) 162 (2×81) 112 (2×56) 230+ (?) 176 (2×88) 128 176 (2×88) 128 (2×64)
Ukuran ~70mm² 98mm² 66mm² ? ~60mm² 101.58mm² ~47mm² ~66mm²
Kerapatan
14.6Gb/mm² 10.4Gb/mm² 7.8Gb/mm² ? 8.5Gb/mm² 5.0Gb/mm² 10.8Gb/mm² 7.8Gb/mm²
Read (tR) ? 50µs 56 µs ? 40µs 45 µs 50µs 56 µs
Program ? 160MB/s 132MB/s 164 MB/s (?) 184MB/s 82MB/s 168MB/s 132MB/s
I/O 2.4Gb/s 2.0Gb/s 1.066Gb/s 2.4Gb/s 2.0Gb/s 1.2Gb/s 1.6Gb/s 1.066Gb/s



2022 Agustus
SK Hynix produsen memory chip meningkatkan lapisan chip NAND dengan 238 layer untuk di produksi tahun 2023.
Berbeda dengan kerapatan chip Micron dengan 3D, SK Hynix mengunakan sistem 4D 238 layer.
Chip 4D tidak diartikan 4 dimensi, tetap dengan disain 3D dan nama 4D untuk pemasaran.
Disain chip TLC dengan 3 bit per sel, dan kapasitas 512Gbit atau setara 64GB
Perbedaan pada unit I/O yang ditumpuk berlapis satu sama lain.
Chip NAND Hynix dapat digunakan untuk SSD, termasuk perangkat smartphone dan storage server.

Micron memilih 232 layer untuk kinerja lebih baik. Mencapai kerapatan tertinggi untuk chip TLC dengan disain 6 bidang untuk memasimalkan kinerja.

Samsung 3D NAND V8, memiliki 238 layer atau 236 layer.
Alasan dari pembuatan chip dengan sistem stack, kurang penting bagi produsen. Dibanding daya tahan chip yang dibutuhkan untuk konsumen.

2022 Juli
Micron mulai memproduksi jumlah besar chip teknologi tercanggih NAND 3D sebagai chip storage SSD.
Disebut model B58R, menjadi chip dengan kerapatan tertinggi disain TLC sampai Juli 2022.
Menumpuk 2 chip 116 layer, telah di kirim ke pelanggan Micron
Chip dengan kepadatan kapasitas NAND baru, membuka jalan produksi SSD sampai 200TB

2022 Mei
Micron kembangkan chip dengan 232 layer, serta kapasitas QLC dengan chip TLC.
Chip TLC 1 TB (128GB) per keping silikon, dapat menampung 2x kapasitas generasi sebelumnya 172 layer dan setingkat kepadatan QLC.

Walau di tahun 2020 lalu, Micron baru memperkenalkan 176 layer NAND. Dan sudah digunakan bersama controller Phison E18.
Tidak lama lagi kapasitas SSD akan semakin besar, setidaknya tahun 2023.

Micron mengunakan 176 lapis chip dengan 2 x 88 lapis yang ditumpuk, dapat mengurangi ukuran chip.
Tidak disebutkan teknologi 232 layer, dipastikan kapasitas satu chip dapat menampung data lebih besar yang sebelumnya hanya dicapai dengan chip QLC.

Micron 232 Layer tahun 2022 roadmap 2023

WD rencana memproduksi 162 layer NAND akhir tahun 2022. Selanjutnya melewati 200 layer tahun 2024
WD dengan pabrik chip Kioxia, akan memproduksi masal 162 layer Bics6 teknologi TLC dan QLC. Sepertinya akan disiapkan untuk PCie 5.

2019 Agustus
Samsung mulai memproduksi masal chip generasi ke 6 256GB 3bit vertikal NAND memory.
Teknologi tersebut pertama kali membawa 100 lapis chip sel. Memiliki kecepatan penulisan 450 mikro detik, dan read atau pembacaan data 45 ms.
Dibanding chip generasi sebelumnya dengan 90 layer. Kecepatan chip 100 layer memiliki peningkatan kecepatan 10%, dan menurun pemakaian power sampai 15%.

Chip untuk SSD generasi ke 6 hanya terpaut 13 bulan setelah diluncurkan generasi sebelumnya.

Dan Samsung mengejar kecepatan untuk memproduksi masal dalam 4 bulan.


2018 September
Techinsight memperkirakan berdasarkan data teknologi chip NAND. Yang umum digunakan untuk SSD storage, NVme storage.

Setelah teknologi chip 3D Nand atau dikenal dengan TriCell TLC. Kapasitas chip storage dapat ditingkatkan dengan ukuran keping yang sama. Kemajuan teknologi chip NAND berdampak dengan harga, biayanya lebih murah. Membuat SSD saat ini semakin terjangkau.

5 tahun kedepan, teknologi chip NAND tidak lagi berisi beberapa lapis dengan sistem tumpuk. DIperkirakan dapat dibuat sampai 500 lapis.

Samsung dan Toshiba diperkirakan dapat mencapai kemajuan signifikan di tahun 2022 mendatang. Jumlah lapisan cell dari lempeng chip mungkin dapat mencapai 200 layer.

Mundur setahun sekitar 2021, perkiraan lain lapisan chip NAND sudah mampu dibuat setidaknya 256 layer.



Saat ini chip NAND untuk SSD sudah mencapai 64 layer. Generasi selanjutnya akan dibuat sampai 96 layer, tapi baru diproduksi mahal akhir tahun 2018.

Tahun 2018.
Toshiba Western Digital bekerja sama untuk pembuatan chip 96 layer, terlihat lebih dahulu dibanding Samsung.
Toshiba BiCS4 Flash QLC dapat digunakan sebagai chip dengan daya tampung paling besar sampai 1.33 Tbit

Samsung NAND v5 September 2018 hanya tersedia tipe chip NAND TLC. Dengan kapasitas lebih rendah 256Gbit, tapi rencananya tahun 2019 akan dibuat 1Tbit dengan varian QLC.

Intel dan Micron akan mengembangkan chop NAND generasi ke 4.

Micron menawarkan keunikan chip NAND dengan CMOS under array.

Hynix telah menyiapkan 96 layer 3D NAND.

YMTC produsen chip asal China telah mengumumkan teknologi chip terbaru mereka, tapi secara teknikmasih tertinggal di belakang.

Teknologi terbaru dengan proses pembuatan sistem tumpuk membuat harga storage tipe Chip semakin murah. Diperkirakan harga storage seperti SSD, kartu NVme bahkan storage untuk smartphone semakin terjangkau.

Artikel Lain

Mediatek Kompanio 838 procesor ChromeOS, 8 core, dilengkapi NPU 650 untuk Ai, dan terintegrasi pengolah gambar Imagiq 7. Mengabungkan kekuatan baterai dan performa, menangani tayangan gambar AV1, dan dukungan dual layar 4K.

Memory card SSD, NVMe storage, microSD, SD sampai Flash Drive tidak disarankan untuk menyimpan data dalam waktu lama. Juga teknologi penyimpan data digital dari generasi tape sampai LTO tape, Disc DVD sampai M-Disc memiliki batas waktu menyimpan data. Hanya 1 yang tahan 200 tahun - Flash drive Machdyne

Intel tidak konyol memaksakan kinerja procesor dengan kecepatan tinggi. Tapi mengunakan power sangat besar untuk kestabilan CPU. Setidaknya berita dari kalangan hardware, CPU Intel Core Ultra 200 akan berada di bawah 6Ghz

3 controller Maxio MAP1803, Maxio MAP1806, Maxio MAP1802 untuk NVMe. Seri pertama untuk SSD NVMe dengan PCIe 5.0, dari kelas enterprise dan client. Chip 3D NAND 3200MT/s dan satu chip terbaru untuk 4800MT/s.

Standar baru PCIe 6.0 power 2x6 pin memiliki logo H++, standar konektor dengan logo H+. RTX 4090 power dibatasi 75 persen, tetap saja konektor meleleh. CableMod konektor 12VHPWR meleleh Februari 2024.Corsair memberi solusi, masalah konektor tidak terpasang sempurna.

WIFI 7 tahun depan siap. Standar 802.11be Mediatek, Intel dan Broadcom, mencapai 5Gbit/s. Mediatek Filogic 380 360 Filogic 880 860 WIFI7. Qualcomm WIFI7 Pro BE3300 mencapai 33Gbps dengan MLO. WIFI 7 secara teori mencapai kecepatan 46Gbit perdetik untuk transfer. WIFI 6e mengunakan 6Ghz mungkin dilewati.

Kebutuhan produksi chip tipe CoWos adalah chip dengan sistem tumpuk, dan lebih rumit dibanding produksi chiplet. Kapasitas GPU yang ditingkatkan untuk menanam sistem tumpuk, sampai memory ada di dalam chip. AMD dan Nvidia kabar mencadangkan pengemasan chip CoWoS dalam 2 tahun mendatang.

Silicon Motion SM2508 untuk SSD NVMe PCie 5.0, lebih cepat dari controller Phison. Silicon Motion akan membawa SSD lebih murah dengan SM2268XT tanpa buffer SDRAM. SM2508 controller dengan 4 channel untuk konsumer dari teknologi node 7nm, sedangkan SM2504XT 8 channel untuk kelas performa bertahan di 12nm. Bersaing dengan Phison E26.

Samsung HBM3E gagal test Nvidia. Hynix HBM 3 transfer 896GB perdetik diumumkan Januari 2022, pertama Nvidia GPU Hopper. Samsung kembangkan HBM2E dengan nama Flashbolt. 33% lebih cepat dari teknologi HBM2. Jauh lebih cepat dari GDDR6X tapi tidak menarik produsen VGA ke teknologi HBM

Diawal smartphone dibuat, ada rasa kenyamanan ketika kita mengunakan. Smartphone kecil, mudah di pegang dan posisi perangkat yang tepat. Tetapi sekarang ukuran layar mulai mengusur semua komponen smartphone. Beberapa bagian komponen penting di smartphone menghilang / berubah, harga semakin mahal. Xiaomi ingin kembali ke era lama

Micron UFS 4.0 diproduksi 2023, untuk 256GB 512GB dan 1TB storage smartphone. Samsung UFS 4.0 lebih cepat 1.6x dibanding UFS 3.1. Toshiba kembali mengumumkan teknologi memory UFS 2.1. Tahun 2019, Samsung siapkan eUFS 2.1, smartphone memiliki 1TB Storage.

Beberapa tahun ini muncul produk WIFI Router seperti WIFI Router game dengan harga lebih mahal dibanding Router standar. Apa kelebihan WIFI Router Game, salah satu komponen dengan CPU dan RAM. Bagian penting router untuk setting prioritas pada aplikasi dan menekan kelambatan ping akses internet.



Youtube Obengplus


Trend