Memory GDDR5 2017 dan GDDR6 tahun 2018


Technology | 11 August 2017

Memory GDDR6 lebih cepat 40% mencapai 16Gbit/s

Oktober 2015 GDDR5X
Pengembangan memory GDDR belum berakhir. Micron mengembangkan GDDR5X untuk memory card grafik.

Disain seperti GDDR5 tapi kecepatan tranfer lebih tinggi. Micron berencana membuat tipe 32 dan 64bit, dan kecepatan dapat ditingkatna sampai 16Gbit. Untuk mencapai kecepatan 10 sampai 12Gb/s dan potensinya dapat ditingkat sampai 16 Gb/s

Saat ini GDDR5 dengan 8 bit dapat mencapai 32bit data per memory access. GDDR5X 16bit mencapai 64 data per memory access.

Berdasaran grafik dibawah ini, GDDR5X baru tampil di pertengahan 2016.  Mengikuti pengembangan memory DDR4 yang mengantikan teknologi memory DDR3 untuk computer.

Micron GDDR5X untuk grafik card

GDDR5X 2017
Memory GDDR5 untuk VGA atau dikenal dengan VRAM disebut GDDR5X. Kecepatan memory mencapai 12GBps di tahun 2018

Produsen chip Micron sedang menguji kemungkinan meningkatkan performa VRAM GDDR5X untuk mencapai kecepatan lebih tinggi sampai 16GBps sebelum digantikan dengan GDDR6.

GDDR5X tetap mengikuti standar JEDEC sampai 16GB, sedangkan GDDR6 sampai 32GB

Perbedaan dengan GDDR6 adalah sistem channel memory meningkat menjadi 2 / dual channel.



Spesifikasi GDDR5X vs GDDR6

GDDR6 2018
Hynix tampilkan model 8 Gbit GDDR6 memory. Chip ini ditujukan untuk grafik procesor atau GPU atau VGA, dan tampil di konferensi Nvidia bulan Mei 2017. Dan Micron dipastikan menyiapakn GDDR6 di tahun 2018. GDDR6 lebih cepat dari teknologi GDDR5X.

Mengunakan voltase 10% lebih rendah dari generasi sebelumnya, dengan fitur Power Saving.

Memiliki interface 256bit, dengan voltase standar 1.35V, VPP 1,8V

Chip yang ditampilkan perusahaan memory SK Hynix , tranfer speed mencapai 16Gbps, 40% lebih cepat dari GDDR5X seperti VRAM yang ada di Nvidia Titan XP dengan kecepatan 11.4Gbit dengan kecepatn 5.7GHz. Dibanding GTX 1080Ti dan GTX 1080, memiliki speed 11GBps 5.5Ghz.

Tapi pesaing dari Micron juga menyiapkan GDDR6. Dan disiapkan tampil di akhir tahun 2017.

GDDR6 SK Hynix dapat digunakan untuk VGA yang memiliki bandwidth interface 384bit. Tidak jelas apakah AMD akan bertahan di memory tipe HBM, atau ikut bersama Nvidia dengan GDDR.

Perbandingan GDDR5 vs GDDR6 diumumkan oleh Hynix Memory

Hynix chip GDDR6 untuk grafik card

Dalam konferensi Hot Chips, Samsung tampilkan GDDR6 November 2017

Memory GDDR5 lebih dikenal sebagai memory untuk GPU atau VGA Card. Memiliki kecepatan tranfer 14Gbps.

Kecepatan GDDR6 Samsung
GDDR6 0 Max 2GB, Bandwidth per chip 72GB/s Voltase 1.35V
GDDR5x 0 Max 1GB, Bandwidth per chip 48GB/s Voltase 1.35V
GDDR5 0 Max 1GB, Bandwidth per chip 36GB/s Voltase 1.5V

Juni 2018.
Micron, Hynix dan Samsung telah siap memproduksi GDDR6. Walau belum dikabarkan kapan Micron siap mengeluarkan produk pertamanya.


Micron akan memulai dengan 8Gb GDDR6.

Pengunaan memory GDDR6 untuk VGA dapat dipasang sampai 24GB VRAM untuk 384bit interface. Atau dengan 16GB dengan 256bit interface. Kebutuhan teknologi resolusi tinggi pada VGA seperti 4K, accelerasi proses GPU, dan mempercepat proses rendering, AR / VR.
Teknologi kecerdasan buatan,  Machine Learning. Dibutuhkan intensitas aplikasi yang membutuhkan solusi kecepatan memory. Salah satunya memory GDDR6.
Jaringan network yang membutuhkan bandwidth besar. Memory GDDR6 dapat dipasang pada card LAN / NIC
Industri otomotif, untuk mengambil data secara realtime.

Agustus 2018
Smasung mengumumkan memory VRAM GDDR6 telah digunakan untuk Nvidia Quadro RTX 8000 berbasis arsitek Turing.
Samsung sementara membuat chip 2GB (16 bit) untuk kapasitas graphic sampai 48GB untuk VGA Quadro RTX dengan 48GB.
Memerlukan 385 bit memory interface dengan kecepatan 14GB/s. Mengunakan voltase 1.35V


Berita terkait
Proceosr KX-U6780A BGA mulai di pasarkan. Tahun 2018 tampil dengan procesor versi desktop 4 core. Bekerja di OS Windows dan seperti desktop PC biasa. Pengembangan seri KX masih berlanjut. Procesor kelas server akan dibuat dengan 32 core dari seri Zhaoxin KaiSheng.

Samsung kembangkan HBM2E dengan nama Flashbolt. 33% lebih cepat dari teknologi HBM2. Menjadi solusi baru di teknologi VRAM. Kecepatan 50% lebih tinggi dari HBM2 untuk VGA. Hynix menyiapkan HBM2E. Febnruari 2020 model HBM2E resmi diluncurkan oleh Samsung



Teknologi PCIe 5.0 selesah di ratifikasi, PCIe 6 atau Gen 6 menyusul. Seperti kebutuhan storage dan trafik ethernet, dimana computer masa depan membutuhkan kecepatan tranfer data sangat tinggi. PCIe 4.0 dapat bekerja dengan board AMD Socket Am4, dan storage M.2  tetap kompatibel dengan sinyal PCIe 3.0

Intel dan Micron memperkenalkan teknologi memory NAND 3DXPoint. Lebih cepat 1000x dari NAND seperti SSD sekarang ini. 2018 Intel dan Micron berpisah. Micron tidak mengunakan nama 3DXPoint, dan menganti dengan QuantX. Intel akan mengunakan nama Optane

Transisi teknologi chip NAND Flash untuk memory card atau storage mulai berpindah ke 3D NAND. Hynix mengikuti Samsung yang lebih dahulu menawarkan SSD dengan 3D NAND Flash. Produsen chip SK Hynix membuat 2 rancangan chip NAND baru dengan MLC dan TLC.

Toshiba merencanakan teknologi SSD dengan kapasitas jauh lebih besar dari harddisk. 128TB SSD, setidaknya akan di produksi pada tahun 2018 mendatang. Samsung sudah menampilkan SSD 15,36TB, mengunakan bentuk seperti ukuran SSD biasa 2,5 inci. Dengan chip kerapatan baru, 256GB NAND FLash 3V 48 layer 3 Bit MLC data dapat dimasukan ke storage SSD lebih besar.

Nuclun 2 adalah procesor buatan LG. Mengambil rancangan seperti Exynos Samsung yang berbasis ARM Cortex. Memiliki 4 kecepatan 2.1Ghz dari Cortex A72, dan procesor lebih kecil dengan 1,5Ghz dengan Cortex A53




No popular articles found.
< /body>