Update November 2014

Teknologi memory DDR dimulai dari DDR SDRAM.
  • Tahun 2000, dimulai DDR SDRAM pertama
  • Tahun 2003, kembali tampil memory DDR2 SDRAM
  • Tahun 2007, kembali digantikan dengan DDR3 SDRAM. Cukup lama DDR3 bertahan, antara 3 - 4 tahun. DDR3 memulai debutnya sejak 2007
  • Tahun 2014, sampai tahun 2014 dimulai DDR4, dan teknologi DDR4 stabil digunakan tahun 2016. Dengan munculnya procesor Ryzen dan Intel terbaru.
  • Tahun 2018 DDR4 telah mencapai DDR4-4400

Perbedaan pertama untuk DDR4 terlihat sama seperti DDR3, tapi sedikit lebih tinggi 0,9mm. Tentu disain chip hanya dibedakan dari PCB produsen.

Perbedaan kedua DDR 3 dan DDR4 dalam bentuk fisik paling memebdakan, adalah letak pin dibagian bawah PCB memory modul.

Membuat setiap generasi memory DDR tidak dapat dipasang pada slot memory berbeda tipe.

Perbedaan ketiga voltase di tiap generasi DDR dibuat lebih rendah dan kecepatan memory lebih tinggi untuk DDR4.

DDR4 mengunakan 288 pin sedangkan DDR3 240 pin.

DDR3 memiliki pin sedikit ke kiri (bila menghadap ke arah memory modul.

Letak lubang pin pada slot memory pin DDR4 sedikit berada ke tengah.



DDR3 vs DDR4 different
Kecepatan DDR4
DDR4 dimulai dari 2133Mhz. Kecepatan tersebut adalah batas tertinggi dari DDR3 standar yang terakhir dibuat. Walau beberapa produsen menawarkan DDR3 lebih cepat.

DDR4 diteruskan sampai 3200Mhz. Chip DDR4 memiliki kerapatan lebih besar, mencapai 16Gb atau 2Gb perchip.

Kapasitas RAM mencapai 2 kali lebih banyak dibanding kapasitas RAM DDR3. Kecepatan DDR4 premium di tahun 2017 lalu, telah mencapai 4000Mhz +

Kedepan, DDR4 RAM dapat dimulai dari memory 16GB permodule, dan terbesar dapat mencapai 64GB untuk kelas server computer atau kelas performa PC.
Samsung sebagai produsen chip DDR4, membuat memory chip dengan kerapatan tinggi dengan pemakaian power lebih rendah.

DDR4
Setiap teknologi memiliki kekurangan.

Ketika DIMM DRAM dibuat, belum dikenal dengan dual channel atau quad channel. DRAM modul hanya mengenal 1 slot DIMM untuk satu memory modul. Banyak penguna performa PC mencari memory dengan kecepatan latency rendah / memory timing. Artinya memory DRAM memiliki respon lebih cepat, seperti angka CL2.

Memory timing berbeda antara DDR4 dan DDR3, karena DDR4 dimulai pada kecepatan tinggi maka timingnya akan semakin besar.

Tetapi memory timing tidak mempengarhi kecepatan computer, karena latency atau kelambatan memory DDR4 dan DDR3

Apakah latency seperti CL10-11-12 membuat kecepatan memory lebih lambat. Memory DDR tidak lagi dilihat nilai Cas Latency.  Nilai yang menentukan adalah Nano Second yang dihasilkan dari kecepatan memory. Semakin kecil maka memory modul semakin cepat. Nilai NS dapat dihitung dengan rumus ( CL / Frequency ) x 1000 atau seperti contoh ini - 2133MHz CL15 untuk DDR4 memory, ( 15 / 2133 ) * 1000 = 7.03ns

Atau mengambil perhitungan dari true latency (ns) = clock cycle time (ns) x number of clock cycles (cl)

Hasil kecepatan tersebut menghasilkan kecepatan tranfer bandwidth lebih tinggi dengan perbandingan semakin tingginya Clock Speed memory.

Dibawah ini penjelasan bahwa memory timing DDR dengan kecepatan memory.

DDR3 2133Mhz sudah mencapai CL 10 atau CL 11. Sedangkan DDR4 2133Mhz yang ada saat ini langsung naik dan mencapai CL 15



Dengan test procesor Core i7 5960X dan 4960X, hasil test Geekbench dari DDR3 dan DDR4 hanya berbeda sedikit saja.

Di kelas memory standar, DDR4 2133Mhz memiliki score 5691 dan DDR3 1600Mhz dengan score 5382

DDR4 dapat bekerja dengan voltase 1,35V, untuk DDR3 Low Power bekerja di 1,5V, sedangkan DDR3 performa bekerja pada voltase 1.65 Volt atau lebih tinggi

Tetapi dalam perkembangannya, DDR4 akan bekerja lebih hemat power bahkan sampai 1,2V dan 1.05V. Memory computer baik PC dan notebook akan lebih hemat power.

Beberapa produsen yangmenawarkan memory kecepatan tinggi seperti DDR4-4000+ untuk performa computer
  • Gskill Trident Z tampil dengan DDR4-3600 16GB / 2x8GB dengan kecepatan latency CL 16-16-16-36 untuk AMD Ryzen
  • GSkill DDR4-4400 16GB / 2x8GB dengan CL 19-19-19-39 untuk procesor Intel X
  • Gskill DDR4-4200 64GB / 8x8GB dengan CL 19-21-21-41 untuk chipset Intel X299.
  • Corsair DDR4-4266 16GB / 2x8GB dengan 19-26-26-46 untuk chipset Intel 200
  • Kecepatan DDR4 untuk Desktop mencapai 4600Mhz dan Notebook 4000Mhz pada tahun 2017

Sebelumnya produsen memory Nanya harus bertahan setelah harga memory jatuh. Bahkan mencapai 28%. Samsung telah menginvestasikan bagi industri segmen DRAM, lebih dari 50% tahun lalu dengan nilai 2 miliar dollar. Membuat harga memory lebih stabil, khususnya DDR4.

Chipset DDR4
Setiap generasi procesor dan DDR memiliki evolusi baru, seluruhnya harus mendukung. DDR4 membutuhkan chip procesor terbaru termasuk slot DDR4 berbeda dari DDR3. Dan DDR3 juga berbeda dengan slot DDR2.

AMD menyiapkan pendukung DDR4. Dari Ryzen core arsitek dan chipset X399 untuk AMD Treadripper.

Teknologi proceor dan computer tahun 2017, telah mengunakan DDR4

Chip mendukung DDR 3 dan DDR4.

Platform Nama procesor
Arsitek
Memory Configuration
    Broadwell-E DDR4 UDIMM non-ECC tested at 2400 MT/s—1.2 V
Desktop 7th Gen Intel® Core™, Intel® Pentium®, Intel® Celeron® processor Kaby Lake DDR4 UDIMM non-ECC tested at 2400MT/s-1.2V l
  6th Gen Intel® Core™, Intel® Pentium®, Intel® Celeron® processors Skylake DDR4 UDIMM non-ECC tested at 2133MT/s—1.2V
  4th Gen Intel® Core™, Intel® Pentium®, Intel® Celeron® processors Haswell DDR3 UDIMM non-ECC tested at 1600 MT/s—1.5 V
Mobile 7th Gen Intel®Core™, Intel® Pentium®, Intel® Celeron® processors Kaby Lake DDR4 memory down tested at 2400MT/s-1.2V
      DDR4 SoDIMM non-ECC tested at 2400MT/s-1.2V
      LPDDR3 memory down tested at 1866 MT/s
  Intel Atom® processor Apollo Lake LPDDR4 memory down tested at 2400MT/s - 1.1V
  6th Gen Intel® Core™, Intel® Pentium®, Intel® Celeron® processors Skylake DDR4 SoDIMM non-ECC tested at 2133MT/s - 1.2V
      DDR4 memory down tested at 2133 MT/s - 1.2V
  5th Gen Intel® Core™, Intel® Pentium®, Intel® Celeron® processors Broadwell DDR3L SoDIMM tested at 1866 MT/s-1.35V
      LPDDR3 memory down tested at 1866/1600 MT/s—1.20 V
      DDR3L/RS memory down tested at 1600 MT/s-1.35V
      DDR3L SODIMM tested at 1600 MT/s—1.35 V
  4th Gen Intel® Core™, Intel® Pentium®, Intel® Celeron® processors Haswell DDR3L SODIMM tested at 1600 MT/s—1.35 V

DDR5 April 2017
Asosiasi JEDEC Solid State Technology Association telah mengumumkan pengembangan standar DDR5 lebih cepat dari jadwal. DDR5 akan memberikan kecepatan bandwidth 2 kali dari DDR4 saat ini. Selain kecepatan, performa dan pemakaian energi lebih efisien.

Standar DDR5 termasuk untuk memory server dan client computer.



Resminya teknologi DDR5 akan diumumkan pada pertemuan JEDEC Server Forum di Santa Clara 19 Juni 2017.

" today announced that development of the widely-anticipated DDR5 (Double Data Rate 5) and NVDIMM-P Design standards is moving forward rapidly.  Publication for both is forecasted for 2018. Industry users will have the opportunity to learn more about each standard at JEDEC’s Server Forum event in Santa Clara, CA on Monday, June 19, 2017"

Teknologi DDR5 diperkirakan standarnya akan selesai pada pertengahan tahun 2018.
Memory DDR5 untuk server pertama akan tampil. Yang menarik dari teknologi DDR5, memory memiliki power manajemen sendiri di dalam chip. Power dari motherboard 12V diturunkan ke 1V di dalam chip memory DDR5, dengan rancangan power atau catu daya lebih stabil dan seimbang ketika beban puncak.
Jumlah DIMM akan mencapai 32 soket memory , dibanding teknologi saat ini 24 socket

DDR5 dalam pengujian Micron telah mencapai kecepatan DDR5-4400, setara dengan DDR4-4400 yang ada saat ini.
DDR5 diperkirakan dapat mencapai lebih dari DDR5-6400.

DDR5 tahun 2018