Memory DDR4 vs DDR3 apa yang berbeda dan pengembangan DDR5


Kategori : Hardware | Date : 26 September 2018
Perbedaan DDR4 dan DDR3 pada pin dan kebutuhan procesor serta chipset
Update November 2014

Teknologi memory DDR dimulai dari DDR SDRAM.
  • Tahun 2000, dimulai DDR SDRAM pertama
  • Tahun 2003, kembali tampil memory DDR2 SDRAM
  • Tahun 2007, kembali digantikan dengan DDR3 SDRAM. Cukup lama DDR3 bertahan, antara 3 - 4 tahun. DDR3 memulai debutnya sejak 2007
  • Tahun 2014, sampai tahun 2014 dimulai DDR4, dan teknologi DDR4 stabil digunakan tahun 2016. Dengan munculnya procesor Ryzen dan Intel terbaru.
  • Tahun 2018 DDR4 telah mencapai DDR4-4400

Perbedaan pertama untuk DDR4 terlihat sama seperti DDR3, tapi sedikit lebih tinggi 0,9mm. Tentu disain chip hanya dibedakan dari PCB produsen.

Perbedaan kedua DDR 3 dan DDR4 dalam bentuk fisik paling memebdakan, adalah letak pin dibagian bawah PCB memory modul.

Membuat setiap generasi memory DDR tidak dapat dipasang pada slot memory berbeda tipe.

Perbedaan ketiga voltase di tiap generasi DDR dibuat lebih rendah dan kecepatan memory lebih tinggi untuk DDR4.

DDR4 mengunakan 288 pin sedangkan DDR3 240 pin.

DDR3 memiliki pin sedikit ke kiri (bila menghadap ke arah memory modul.

Letak lubang pin pada slot memory pin DDR4 sedikit berada ke tengah.



DDR3 vs DDR4 different
Kecepatan DDR4
DDR4 dimulai dari 2133Mhz. Kecepatan tersebut adalah batas tertinggi dari DDR3 standar yang terakhir dibuat. Walau beberapa produsen menawarkan DDR3 lebih cepat.

DDR4 diteruskan sampai 3200Mhz. Chip DDR4 memiliki kerapatan lebih besar, mencapai 16Gb atau 2Gb perchip.

Kapasitas RAM mencapai 2 kali lebih banyak dibanding kapasitas RAM DDR3. Kecepatan DDR4 premium di tahun 2017 lalu, telah mencapai 4000Mhz +

Kedepan, DDR4 RAM dapat dimulai dari memory 16GB permodule, dan terbesar dapat mencapai 64GB untuk kelas server computer atau kelas performa PC.
Samsung sebagai produsen chip DDR4, membuat memory chip dengan kerapatan tinggi dengan pemakaian power lebih rendah.

DDR4
Setiap teknologi memiliki kekurangan.

Ketika DIMM DRAM dibuat, belum dikenal dengan dual channel atau quad channel. DRAM modul hanya mengenal 1 slot DIMM untuk satu memory modul. Banyak penguna performa PC mencari memory dengan kecepatan latency rendah / memory timing. Artinya memory DRAM memiliki respon lebih cepat, seperti angka CL2.

Memory timing berbeda antara DDR4 dan DDR3, karena DDR4 dimulai pada kecepatan tinggi maka timingnya akan semakin besar.

Tetapi memory timing tidak mempengarhi kecepatan computer, karena latency atau kelambatan memory DDR4 dan DDR3

Apakah latency seperti CL10-11-12 membuat kecepatan memory lebih lambat. Memory DDR tidak lagi dilihat nilai Cas Latency.  Nilai yang menentukan adalah Nano Second yang dihasilkan dari kecepatan memory. Semakin kecil maka memory modul semakin cepat. Nilai NS dapat dihitung dengan rumus ( CL / Frequency ) x 1000 atau seperti contoh ini - 2133MHz CL15 untuk DDR4 memory, ( 15 / 2133 ) * 1000 = 7.03ns

Atau mengambil perhitungan dari true latency (ns) = clock cycle time (ns) x number of clock cycles (cl)

Hasil kecepatan tersebut menghasilkan kecepatan tranfer bandwidth lebih tinggi dengan perbandingan semakin tingginya Clock Speed memory.

Dibawah ini penjelasan bahwa memory timing DDR dengan kecepatan memory.

DDR3 2133Mhz sudah mencapai CL 10 atau CL 11. Sedangkan DDR4 2133Mhz yang ada saat ini langsung naik dan mencapai CL 15

Dengan test procesor Core i7 5960X dan 4960X, hasil test Geekbench dari DDR3 dan DDR4 hanya berbeda sedikit saja.

Di kelas memory standar, DDR4 2133Mhz memiliki score 5691 dan DDR3 1600Mhz dengan score 5382

DDR4 dapat bekerja dengan voltase 1,35V, untuk DDR3 Low Power bekerja di 1,5V, sedangkan DDR3 performa bekerja pada voltase 1.65 Volt atau lebih tinggi

Tetapi dalam perkembangannya, DDR4 akan bekerja lebih hemat power bahkan sampai 1,2V dan 1.05V. Memory computer baik PC dan notebook akan lebih hemat power.

Beberapa produsen yangmenawarkan memory kecepatan tinggi seperti DDR4-4000+ untuk performa computer
  • Gskill Trident Z tampil dengan DDR4-3600 16GB / 2x8GB dengan kecepatan latency CL 16-16-16-36 untuk AMD Ryzen
  • GSkill DDR4-4400 16GB / 2x8GB dengan CL 19-19-19-39 untuk procesor Intel X
  • Gskill DDR4-4200 64GB / 8x8GB dengan CL 19-21-21-41 untuk chipset Intel X299.
  • Corsair DDR4-4266 16GB / 2x8GB dengan 19-26-26-46 untuk chipset Intel 200


  • Kecepatan DDR4 untuk Desktop mencapai 4600Mhz dan Notebook 4000Mhz pada tahun 2017

Sebelumnya produsen memory Nanya harus bertahan setelah harga memory jatuh. Bahkan mencapai 28%. Samsung telah menginvestasikan bagi industri segmen DRAM, lebih dari 50% tahun lalu dengan nilai 2 miliar dollar. Membuat harga memory lebih stabil, khususnya DDR4.

Chipset DDR4
Setiap generasi procesor dan DDR memiliki evolusi baru, seluruhnya harus mendukung. DDR4 membutuhkan chip procesor terbaru termasuk slot DDR4 berbeda dari DDR3. Dan DDR3 juga berbeda dengan slot DDR2.

AMD menyiapkan pendukung DDR4. Dari Ryzen core arsitek dan chipset X399 untuk AMD Treadripper.

Teknologi proceor dan computer tahun 2017, telah mengunakan DDR4

Chip mendukung DDR 3 dan DDR4.

Platform Nama procesor
Arsitek
Memory Configuration
    Broadwell-E DDR4 UDIMM non-ECC tested at 2400 MT/s—1.2 V
Desktop 7th Gen Intel® Core™, Intel® Pentium®, Intel® Celeron® processor Kaby Lake DDR4 UDIMM non-ECC tested at 2400MT/s-1.2V l
  6th Gen Intel® Core™, Intel® Pentium®, Intel® Celeron® processors Skylake DDR4 UDIMM non-ECC tested at 2133MT/s—1.2V
  4th Gen Intel® Core™, Intel® Pentium®, Intel® Celeron® processors Haswell DDR3 UDIMM non-ECC tested at 1600 MT/s—1.5 V
Mobile 7th Gen Intel®Core™, Intel® Pentium®, Intel® Celeron® processors Kaby Lake DDR4 memory down tested at 2400MT/s-1.2V
      DDR4 SoDIMM non-ECC tested at 2400MT/s-1.2V
      LPDDR3 memory down tested at 1866 MT/s
  Intel Atom® processor Apollo Lake LPDDR4 memory down tested at 2400MT/s - 1.1V
  6th Gen Intel® Core™, Intel® Pentium®, Intel® Celeron® processors Skylake DDR4 SoDIMM non-ECC tested at 2133MT/s - 1.2V
      DDR4 memory down tested at 2133 MT/s - 1.2V
  5th Gen Intel® Core™, Intel® Pentium®, Intel® Celeron® processors Broadwell DDR3L SoDIMM tested at 1866 MT/s-1.35V
      LPDDR3 memory down tested at 1866/1600 MT/s—1.20 V
      DDR3L/RS memory down tested at 1600 MT/s-1.35V
      DDR3L SODIMM tested at 1600 MT/s—1.35 V
  4th Gen Intel® Core™, Intel® Pentium®, Intel® Celeron® processors Haswell DDR3L SODIMM tested at 1600 MT/s—1.35 V

Modul DC DIMM DDR4 ukuran 2x lebih besar tahun 2018.
DC-DIMM dasarnya dari singkatan Double Capacity DIMM
2 merek memory G.Skill dan Zadak tampilkan memory DDR4. Tapi dengan kapasitas 2x lebih besar, dan ukurannya juga 2x lebih besar.
Memory chip yang dipakai buatan Samsung. Dirancang dengan 2 baris chip, sedangkan memory DDR4 standar hanya mengunakan 1 baris chip.

32GB mungkin saja dibuat untuk memory notebook ukuran 32GB DDR44 SODIMM. Walau tidak jelas apakah disain chip harus disesuaikan, karena letak memory notebook lebih sempit.

Merek Zadak model Zadak Shield DC Aura2 RGB DDR4-3200 desktop PC menawarkan kapasitas 32GB.

Gambar kiri disain memory double capacity, dan kanan model memory ukuran standar.

Size DDR4 Zadak




DDR5 April 2017
Asosiasi JEDEC Solid State Technology Association telah mengumumkan pengembangan standar DDR5 lebih cepat dari jadwal. DDR5 akan memberikan kecepatan bandwidth 2 kali dari DDR4 saat ini. Selain kecepatan, performa dan pemakaian energi lebih efisien.

Standar DDR5 termasuk untuk memory server dan client computer.

Resminya teknologi DDR5 akan diumumkan pada pertemuan JEDEC Server Forum di Santa Clara 19 Juni 2017.

" today announced that development of the widely-anticipated DDR5 (Double Data Rate 5) and NVDIMM-P Design standards is moving forward rapidly.  Publication for both is forecasted for 2018. Industry users will have the opportunity to learn more about each standard at JEDEC’s Server Forum event in Santa Clara, CA on Monday, June 19, 2017"

Teknologi DDR5 diperkirakan standarnya akan selesai pada pertengahan tahun 2018.
Memory DDR5 untuk server pertama akan tampil. Yang menarik dari teknologi DDR5, memory memiliki power manajemen sendiri di dalam chip. Power dari motherboard 12V diturunkan ke 1V di dalam chip memory DDR5, dengan rancangan power atau catu daya lebih stabil dan seimbang ketika beban puncak.
Jumlah DIMM akan mencapai 32 soket memory , dibanding teknologi saat ini 24 socket

DDR5 dalam pengujian Micron telah mencapai kecepatan DDR5-4400, setara dengan DDR4-4400 yang ada saat ini.
DDR5 diperkirakan dapat mencapai lebih dari DDR5-6400.

DDR5 tahun 2018

Intel chipset seri Z370 untuk 8 core Core i9 update UEFI. Intel dengan arsitek Coffee Lake datang dengan 6+ core procesor, dukungan DDR4-2666. Disusul chipset, Intel Q370 hampir identik Z370 tanpa fitur overclock jalan dengan Core i9, H370, B360 dan H310. Motherboard Z390 paling murah dari Gigabyte di sub 100

AMD Threadripper melihat disain heatsink untuk socket TR4, lebih besar dengan chipset X399. AMD menyiapkan procesor 32 core tahun 2018. Model high end Z490, penganti X370 dengan X470, dan budget motherboard B450

GSkill DDR memory untuk procesor Kaby Lake, DDR4 4266Mhz 16GB dan DDR4 4133Mhz 32GB. GSkill DDR4 Fortis dan Flare X untuk AMD Ryzen procesor. Paling cepat Februari 2018 G.Skill TridentZ DDR4-4700MHz



Intel tampil sampai 18 core, walau harganya tidak murah. Motherboard  X299 Juni 2017, dikabarkan disan motherboard X299 bermasalah, overheating (kepanasan).Bagian  pin power, pendingin VRM serta kabel 8 pin untuk 12V power procesor harus menahan harus 25A untuk power procesor yang meningkat sampai 300W. Media Overclock mengatakan hal yang sama

G.Skill Trident Z DDR4 memiliki kecepatan 3600Mhz.  Dengan kapasitas RAM 64GB dari 4 modul terpasang. Memiliki spesifikasi 3600MHz CL17-19-19-39 1.35V, chip buatan Samsung 8GB.

Corsair Dominator adalah seri memory performa untuk PC. Kali ini tampil dengan Corsair Dominator Platinum Special Edition DDR4. Diproduksi hanya 500 unit dari setiap model. Dengan 4 x 8GB memory modul atau 2 x 16GB memory modul. Kedua model memiliki kecepatan 3200Mhz

Corsair Vengeance memory DDR4 tampil dalam 3 varian. Dari 128GB, 64GB dan 32GB. Tidak ada yang kecil dan hanya tersedia 32GB saja. Corsair Vengeance LPX untuk model 128GB dipasang dengan kombinasi 8 modul x 16GB. Dan kecepatan dari 3.000Mhz keatas.



Butuh kemampuan computer kekuatan besar, satu lagi komponen computer dari G.Skill menawarkan kit DDR4 128GB. Memiliki kecepatan 3000Mhz dengan latency CL 14 14 14 34. Terdiri dari 16GB setiap modul dikalikan 8 unit modul yang terpasang di memory computer.

Corsair sudah menyiapkan memory generasi baru DDR4. Memory tersebut langsung masuk di kecepatan 2800Mhz dan 2666Mhz. Sementara hanya tersedia 16GB dengan dual kit memory modul.

Micron sebelumnya mengembangkan memory 3D dengan disain tumpuk.  Sekarang memory yang dibuat dengan sistem tumpuk 4 chip dari 4Gb DRAM dengan kapasitas 2GB mulai di uji coba. Kecepatan bandwidth internal memory mencapai 160GB/s.


No popular articles found.