Micron sebelumnya mengembangkan memory 3D dengan disain tumpuk.  Sekarang memory yang dibuat dengan sistem tumpuk 4 chip dari 4Gb DRAM dengan kapasitas 2GB mulai di uji coba. Kecepatan bandwidth internal memory mencapai 160GB/s. 4X lebih cepat dibanding DDR4

Selain kapasitas besar, memory hanya membutuhkan power 70% dari memory biasa. Micron HMC memory ini hanya di disain untuk aplikasi yang membutuhkan kecepatan tinggi. Seperti data paket, buffer storage  atau sebagai akselerasi procesor. Untuk konsumen, mungkin akan tampil dalam 3-5 tahun mendatang.

Pengembangan HMC chip akan dikembangkan dari 2GB ke 4GB tahun depan.

Teknologi Hyrid Memory Cube akan memberikan terobosan baru bagi memory untuk aplikasi khusus.